天盈配速度高达 17600 MT/s 的超快 DDR6 内存有望于 2027 年推出

下一代 PC 内存已在筹备中。DDR6 预计将于 2027 年问世天盈配，各大芯片制造商正在为更快、更高效的系统奠定基础，这将再次提升从游戏设备到 AI 工作负载等各个领域的标准。

DDR6 标准于 2024 年底起草，预计将于 2027 年实现商用。据台湾行业刊物《商业时报》报道，、美光和 SK 海力士的原型设计工作进展顺利，目前正将重点转向控制器开发。据报道，这些公司还在与英特尔和 AMD 合作进行接口测试天盈配，预计平台验证将于明年开始。

两家主要的 x86 芯片制造商都计划在其下一代 CPU 中支持 DDR6，为其在 AI 服务器、高性能计算 (HPC) 系统和高端笔记本电脑中的广泛应用铺平道路。据业内人士称，DDR6 将比 DDR5 带来重大的架构升级，默认速度从 8800 MT/s 起跳，最高可达 17600 MT/s天盈配，是当前 DDR5 官方极限的两倍。一些报告表明，超频模块最终可能达到 21000 MT/s 的速度。

DDR6 的另一个关键升级是其多通道架构，具有四个 24 位子通道。与 DDR5 的双 32 位布局相比，这种设计提高了并行处理、数据流和带宽效率。然而，这也对模块 I/O 设计和信号完整性提出了更高的要求。

内存制造商将 CAMM2 定位为 DDR6 的关键规格，尤其是在笔记本电脑和其他紧凑型设备中。与传统的 DIMM 和 SO-DIMM 相比，新的模块设计有望带来更佳的性能、更高的容量和更高的效率。华硕和芝奇最近展示了一款以 DDR5-10000 速度运行的 64GB CAMM2 模块，凸显了该格式的潜力。

继 DDR6 草案发布后，联合电子设备工程委员会 (JEC) 于本月初发布了 LPDDR6 最终草案，使半导体公司、内存制造商和芯片设计人员能够在统一框架下开始测试和验证。据韩国媒体 The Guru 报道，高通、联发科和新思科技已开始为其硬件开发LPDDR6 支持，而多年来一直致力于该标准的三星和 SK 海力士计划在年底前开始量产 LPDDR6 模块。

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